供應fairchild仙童光電產(chǎn)品

Fairchild是設計和光電器件的企業(yè)。 我們提供用于低帶寬/通用開(kāi)關(guān)應用的光電耦合器、用于高帶寬/高增益應用的高光電耦合器、高壓光電耦合器、紅外元器件以及具有*功能的其他定制產(chǎn)品。

我們廣泛的光電器件和光耦合器器件系列提供了多種輸入和輸出配置，可以降低功耗并為您的設計提供的抗噪能力。

為什么選擇飛兆的光電器件
憑借Fairchild專(zhuān)有的共面封裝技術(shù)Optoplanar®，我們的高光耦合器可提供的抗噪能力。

憑借高速的速度傳輸速率，這些高電耦合器特別適合 
高速數據通信應用。
我們所有的光電產(chǎn)品均不含鉛(Pb)，并且符合RoHS標準。
此外，我們的產(chǎn)品還通過(guò)了主要安全監管機構的。
采用3.3V和5V的電源電壓。
帶寬能力zui高可達15Mbit/s。
達到或超過(guò)安全監管標準。
高隔離電壓，zui高可達5kV。
此外，為了滿(mǎn)足當今設計日益增長(cháng)的需求，飛兆半導體提供可承受工作溫度高達+125
°C的光耦合器。 我們的4引腳整間距MFP和4引腳DIP、光電晶體管輸出光耦合器均具有
+110°C的額定zui高操作溫度。
有源米勒鉗位技術(shù) Active Miller Clamp Technology
在IGBT的驅動(dòng)設計中，特別是對中小功率的IGBT驅
動(dòng)，工程師們更傾向于簡(jiǎn)單的板布局和簡(jiǎn)單的解
決方案，于是去掉驅動(dòng)負電源成了很有吸引力的解
決方案，但是同時(shí)這個(gè)方案也帶來(lái)了定的問(wèn)題。
如圖1所示的驅動(dòng)，上橋和下橋的IGBT都使用
單電源供電。如圖2黑色波形所示，正常情況下，
兩個(gè)IGBT不會(huì )同時(shí)導通，柵電壓不會(huì )同時(shí)為高。
但是由于dv/dt的存在，IGBT關(guān)閉之后柵會(huì )出現
毛刺電壓,如圖2紅色波形所示。如圖3所示，讓我
們以Q2為例做更詳細的說(shuō)明。Q2關(guān)閉之后，Q1開(kāi)啟
，Q2的CE電壓將會(huì )升高，由于dv/dt很高，電流通
過(guò)Q2的Cgc流過(guò)限流電阻Rg和驅動(dòng)的輸出阻抗，這
個(gè)電流我們稱(chēng)為米勒電流。米勒電流的大小可以通
過(guò)如下公式(1)計算。
如果對速度的要求很高，dv/dt也會(huì )隨之增大
，那么米勒電流造成VGE2就會(huì )升高到Q2的閾值電壓
，造成Q1和Q2同時(shí)導通，這對于Q1和Q2都是非常危
險的，當然也會(huì )造成功耗的浪費。

 供應fairchild仙童光電產(chǎn)品